TN5320A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TN5320A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-226

 Аналоги (замена) для TN5320A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN5320A даташит

 ..1. Size:88K  fairchild semi
 tn5320a.pdf pdf_icon

TN5320A

September 2007 TN5320A PNP High Voltage Amplifier This device is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.5 A. Sourced from Process 34. 1 TO-226 1. Collector 2. Base 3. Emitter Absolute Maximum Ratings* Ta=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 75 V VCEO Collector-Emitte

 9.1. Size:527K  supertex
 tn5325.pdf pdf_icon

TN5320A

TN5325 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold (2.0V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance and high gain transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Free from secondary breakdown combination produces a device

Другие транзисторы: SD1398, SJ5436, SJ5437, SJ5439, STS8550, TN3019A, TN3440A, TN4033A, BC549, TN5415A, TN6705A, TN6707A, TN6716A, TN6718A, TN6719A, TN6725A, TN6727A