TN6707A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN6707A

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO-226

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TN6707A datasheet

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TN6707A

TN6707A NPN General Purpose Amplifier These devices is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0A Sourced from process 39. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FPN660 Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Volta

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TN6707A

Discrete POWER & Signal Technologies TN6705A TO-226 C B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2 A. Sourced from Process 38. See TN6715A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V

Otros transistores... SJ5439, STS8550, TN3019A, TN3440A, TN4033A, TN5320A, TN5415A, TN6705A, BC556, TN6716A, TN6718A, TN6719A, TN6725A, TN6727A, ZTX749A, UNR1110, UNR1111