TN6707A Todos los transistores

 

TN6707A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN6707A
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO-226
 

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TN6707A Datasheet (PDF)

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TN6707A

TN6707ANPN General Purpose Amplifier These devices is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0A Sourced from process 39.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter FPN660 UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 100 VVEBO Emitter-Base Volta

 9.1. Size:24K  fairchild semi
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TN6707A

Discrete POWER & SignalTechnologiesTN6705ATO-226CBENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 1.2 A. Sourced fromProcess 38. See TN6715A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 V

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History: A1013A-Y | 2SD734D

 

 
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