TN6707A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TN6707A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO-226

 Аналоги (замена) для TN6707A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

TN6707A даташит

 ..1. Size:41K  fairchild semi
 tn6707a.pdf pdf_icon

TN6707A

TN6707A NPN General Purpose Amplifier These devices is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0A Sourced from process 39. C TO-226 BE Absolute Maximum Ratings* TA=25 C unless otherwise noted Symbol Parameter FPN660 Units VCEO Collector-Emitter Voltage 80 V VCBO Collector-Base Voltage 100 V VEBO Emitter-Base Volta

 9.1. Size:24K  fairchild semi
 tn6705a.pdf pdf_icon

TN6707A

Discrete POWER & Signal Technologies TN6705A TO-226 C B E NPN General Purpose Amplifier This device is designed for use as general purpose amplifiers and switches requiring collector currents to 1.2 A. Sourced from Process 38. See TN6715A for characteristics. Absolute Maximum Ratings* TA = 25 C unless otherwise noted Symbol Parameter Value Units VCEO Collector-Emitter Voltage 45 V

Другие транзисторы: SJ5439, STS8550, TN3019A, TN3440A, TN4033A, TN5320A, TN5415A, TN6705A, BC556, TN6716A, TN6718A, TN6719A, TN6725A, TN6727A, ZTX749A, UNR1110, UNR1111