Биполярный транзистор TN6707A - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: TN6707A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-226
TN6707A Datasheet (PDF)
tn6707a.pdf
TN6707ANPN General Purpose Amplifier These devices is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0A Sourced from process 39.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter FPN660 UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 100 VVEBO Emitter-Base Volta
tn6705a.pdf
Discrete POWER & SignalTechnologiesTN6705ATO-226CBENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 1.2 A. Sourced fromProcess 38. See TN6715A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050