Биполярный транзистор TN6707A Даташит. Аналоги
Наименование производителя: TN6707A
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Корпус транзистора: TO-226
TN6707A Datasheet (PDF)
tn6707a.pdf

TN6707ANPN General Purpose Amplifier These devices is designed for general purpose medium power amplifiers and switches requiring collector currents to 1.0A Sourced from process 39.CTO-226BEAbsolute Maximum Ratings* TA=25C unless otherwise notedSymbol Parameter FPN660 UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 80 VVCBO Collector-Base Voltage 100 VVEBO Emitter-Base Volta
tn6705a.pdf

Discrete POWER & SignalTechnologiesTN6705ATO-226CBENPN General Purpose AmplifierThis device is designed for use as general purpose amplifiersand switches requiring collector currents to 1.2 A. Sourced fromProcess 38. See TN6715A for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 45 V
Другие транзисторы... SJ5439 , STS8550 , TN3019A , TN3440A , TN4033A , TN5320A , TN5415A , TN6705A , BC639 , TN6716A , TN6718A , TN6719A , TN6725A , TN6727A , ZTX749A , UNR1110 , UNR1111 .
History: 2N2144A | BF119



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n2147 | 2sc870 | 2sa771 | d667 | a965 transistor | hy3210 | d313 transistor equivalent | 2sb827