UNR111H Todos los transistores

UNR111H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: UNR111H

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-PNP

Resistencia de Entrada Base R1 = 2.2 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 10 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.22

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.4 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: M-A1

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