UNR111H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UNR111H

Тип материала: Si

Полярность: Pre-Biased-PNP

Встроенный резистор цепи смещения R1 = 2.2 kOhm

Встроенный резистор цепи смещения R2 = 10 kOhm

Соотношение сопротивлений R1/R2 = 0.22

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: M-A1

 Аналоги (замена) для UNR111H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UNR111H даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: UNR1115, UNR1116, UNR1117, UNR1118, UNR1119, UNR111D, UNR111E, UNR111F, BDT88, UNR111L, UNR1210, UNR1211, UNR1212, UNR1213, UNR1214, UNR1215, UNR1216