STC503D Todos los transistores

 

STC503D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STC503D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 65 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 15 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: TO-252

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STC503D datasheet

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STC503D

STC503D NPN Silicon Transistor Applications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V Typ. High Voltage VCEO=65V Min. TO-252 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC503D STC503 TO-252 Absolute Maximum

 8.1. Size:394K  auk
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STC503D

STC503F NPN Silicon Transistor PIN Connection Applications Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V Typ. SOT-89 High Voltage VCEO=65V Min. Ordering Information Type NO. Marking Package Code C503 STC503F SOT-89 YWW Absolute Ma

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History: FMMT3639 | 2SD376 | 2SC5551A | FMG5A | H5609 | FMMT3642 | H558

 

 

 

 

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