STC503D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STC503D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 15 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для STC503D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STC503D даташит

 ..1. Size:378K  auk
 stc503d.pdf pdf_icon

STC503D

STC503D NPN Silicon Transistor Applications PIN Connection Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V Typ. High Voltage VCEO=65V Min. TO-252 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STC503D STC503 TO-252 Absolute Maximum

 8.1. Size:394K  auk
 stc503f.pdf pdf_icon

STC503D

STC503F NPN Silicon Transistor PIN Connection Applications Power amplifier application High current switching application Features Power Transistor General Purpose application Low saturation voltage VCE(sat)=0.4V Typ. SOT-89 High Voltage VCEO=65V Min. Ordering Information Type NO. Marking Package Code C503 STC503F SOT-89 YWW Absolute Ma

Другие транзисторы: STC405D, STC4073D, STC4073F, STC4073Q, STC4250F, STC4250L, STC4350F, STC4350Q, D965, STC503F, STC601F, STC603PI, STC6075Q, STC722D, STD13003D, STD13003L, STD13003Q