2N636 Todos los transistores

 

2N636 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N636

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 15 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 15 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 35

Empaquetado / Estuche: TO5

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2N636

 

2N636 Datasheet (PDF)

0.1. 2n6360.pdf Size:148K _jmnic

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JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emit

0.2. 2n6360.pdf Size:116K _inchange_semiconductor

2N636
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Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION

 

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