Справочник транзисторов. 2N636

 

Биполярный транзистор 2N636 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N636
   Тип материала: Ge
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2N636 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:449K  1
 2n6368.pdf pdf_icon

2N636

 0.2. Size:148K  jmnic
 2n6360.pdf pdf_icon

2N636

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emit

 0.3. Size:116K  inchange semiconductor
 2n6360.pdf pdf_icon

2N636

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION

Другие транзисторы... 2N6354 , 2N6354A , 2N6355 , 2N6356 , 2N6357 , 2N6358 , 2N6359 , 2N635A , 2SA1837 , 2N6360 , 2N6361 , 2N6362 , 2N6363 , 2N6364 , 2N6365 , 2N6365A , 2N6366 .

History: 2N6085 | 2PB709AQ | PN1711 | KT3102V | MJH16010

 

 
Back to Top

 


 
.