Справочник транзисторов. 2N636

 

Биполярный транзистор 2N636 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

Наименование производителя: 2N636

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35

Корпус транзистора: TO5

Аналоги (замена) для 2N636

 

 

2N636 Datasheet (PDF)

0.1. 2n6360.pdf Size:148K _jmnic

2N636
2N636

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emit

0.2. 2n6360.pdf Size:116K _inchange_semiconductor

2N636
2N636

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION

 

Другие транзисторы... 2N6354 , 2N6354A , 2N6355 , 2N6356 , 2N6357 , 2N6358 , 2N6359 , 2N635A , 2N60C , 2N6360 , 2N6361 , 2N6362 , 2N6363 , 2N6364 , 2N6365 , 2N6365A , 2N6366 .

 

 
Back to Top