2N6365A Todos los transistores

 

2N6365A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N6365A
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 1 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 500 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO39
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N6365A Datasheet (PDF)

 9.1. Size:449K  1
 2n6368.pdf pdf_icon

2N6365A

 9.2. Size:148K  jmnic
 2n6360.pdf pdf_icon

2N6365A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION1 Base 2 Emit

 9.3. Size:116K  inchange semiconductor
 2n6360.pdf pdf_icon

2N6365A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6360 DESCRIPTION With TO-3 package Low collector saturation voltage High DC current gain Excellent safe operating area APPLICATIONS Designed for high power applications and switching circuits such as relay or solenoid drivers, dc to dc converters or inverters. PINNING PIN DESCRIPTION

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History: ZDT1049 | 2N6364 | 2SC3110

 

 
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