SBC327 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SBC327
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 35 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.8 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 16 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO-92
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SBC327 datasheet
sbc327.pdf
SBC327 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions High current application Switching application Features Suitable for AF-Driver stage and low power output stages Complementary Pair with SBC337 Ordering Information Type NO. Marking Package Code0 SBC327 SBC327 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1 0.4 0.02 2.06
sbc328.pdf
SBC328 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions High current application Switching application Features Suitable for AF-Driver stage and low power output stages Complementary pair with SBC338 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SBC328 SBC328 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1
Otros transistores... DP100S, DP500, DP500F, DP500P, MMBT3904EF, MMBT3906EF, NT331, NT332, TIP41, SBC328, SBC337, SBC338, SBC546, SBC547, SBC548, SBC556, SBC557
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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