SBC327. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SBC327
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 16 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO-92
Аналоги (замена) для SBC327
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
SBC327 даташит
sbc327.pdf
SBC327 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions High current application Switching application Features Suitable for AF-Driver stage and low power output stages Complementary Pair with SBC337 Ordering Information Type NO. Marking Package Code0 SBC327 SBC327 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1 0.4 0.02 2.06
sbc328.pdf
SBC328 Semiconductor Semiconductor PNP Silicon Transistor Descriptions High current application Switching application Features Suitable for AF-Driver stage and low power output stages Complementary pair with SBC338 Ordering Information Type NO. Marking Package Code SBC328 SBC328 TO-92 Outline Dimensions unit mm 3.45 0.1 4.5 0.1 2.25 0.1
Другие транзисторы: DP100S, DP500, DP500F, DP500P, MMBT3904EF, MMBT3906EF, NT331, NT332, TIP41, SBC328, SBC337, SBC338, SBC546, SBC547, SBC548, SBC556, SBC557
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460 | irfz44n mosfet | lm317t datasheet | irf540 | bc337


