SBT5551 Todos los transistores

 

SBT5551 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SBT5551
   Código: FNF
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: SOT-23
 

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SBT5551 Datasheet (PDF)

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SBT5551

SBT5551NPN Silicon TransistorPIN ConnectionDescriptions General purpose amplifier High voltage application Features high collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Complementary pair with SBT5401 SOT-23 Ordering Information Type NO. Marking Package Code FNF SBT5551 SOT-2

 0.1. Size:259K  auk
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SBT5551

SBT5551FNPN Silicon TransistorDescriptions PIN Connection General purpose amplifier High voltage application 3 Features high collector breakdown voltage : 1 VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage : 2VCE(sat)=0.5V(MAX.) SOT-23F Complementary pair with SBT5401F Ordering Information Type NO. Marking Package Code FNF

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History: 2SC4019 | DRA3A44E

 

 
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