SBT5551. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SBT5551

Маркировка: FNF

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-23

 Аналоги (замена) для SBT5551

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

SBT5551 даташит

 ..1. Size:255K  auk
 sbt5551.pdf pdf_icon

SBT5551

SBT5551 NPN Silicon Transistor PIN Connection Descriptions General purpose amplifier High voltage application Features high collector breakdown voltage VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage VCE(sat)=0.5V(MAX.) Complementary pair with SBT5401 SOT-23 Ordering Information Type NO. Marking Package Code FNF SBT5551 SOT-2

 0.1. Size:259K  auk
 sbt5551f.pdf pdf_icon

SBT5551

Другие транзисторы: SBT3904F, SBT3904U, SBT3904UF, SBT3906, SBT3906F, SBT3906UF, SBT5401, SBT5401F, B772, SBT5551F, SPS8050, SPS8550, STA124, STA124M, STA124S, STA124SF, STA733