STC5551F Todos los transistores

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STC5551F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STC5551F

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 180 V

Tensión colector-emisor (Vce): 160 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 6 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 80

Empaquetado / Estuche: SOT-89

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STC5551F Datasheet (PDF)

1.1. stc5551f.pdf Size:317K _auk

STC5551F
STC5551F

STC5551F NPN Silicon Transistor PIN Connection Descriptions • General purpose amplifier • High voltage application Features • High collector breakdown voltage : VCBO = 180V, VCEO = 160V • Low collector saturation voltage SOT-89 : VCE(sat)=0.5V(MAX.) Ordering Information Type No. Marking Package Code N51 STC5551F SOT-89 ?YWW N51: DEVICE CODE, ? : hFE rank,

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