STC5551F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STC5551F

Маркировка: N51

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для STC5551F

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STC5551F даташит

 ..1. Size:317K  auk
 stc5551f.pdf pdf_icon

STC5551F

STC5551F NPN Silicon Transistor PIN Connection Descriptions General purpose amplifier High voltage application Features High collector breakdown voltage VCBO = 180V, VCEO = 160V Low collector saturation voltage SOT-89 VCE(sat)=0.5V(MAX.) Ordering Information Type No. Marking Package Code N51 STC5551F SOT-89 YWW N51 DEVICE CODE, hF

Другие транзисторы: STB1277L, STC128, STC128M, STC201F, STC221F, STC401, STC4081, STC411, S9013, STC945, STD123, STD123AS, STD123ASF, STD123SF, STD123U, STD123UF, STD129