STD1766 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD1766

Código: B2

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 30 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: SOT-89

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STD1766 datasheet

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STD1766

STD1766 NPN Silicon Transistor Descriptions Medium power amplifier Collector 2,4 Features Base P (Collector power dissipation)=2W C 1 (Ceramic substrate of 250 0.8t used) Low collector saturation voltage Emitter 3 V =0.5V (Typ.) CE(sat) Complementary pair with STB1188 SOT-89 Green device and RoHS compliant device Availab

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STD1766

STD17N05 STD17N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD17N05 50 V

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STD1766

STD17N05L STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD17N05L 50 V

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STD1766

STD17N05L STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD17N05L 50 V

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