STD1766 Todos los transistores

 

STD1766 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD1766
   Código: B2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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STD1766 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  auk
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STD1766

STD1766 NPN Silicon Transistor Descriptions Medium power amplifier Collector2,4Features Base P (Collector power dissipation)=2W C 1(Ceramic substrate of 250 0.8t used) Low collector saturation voltage Emitter3: V =0.5V (Typ.) CE(sat) Complementary pair with STB1188 SOT-89 Green device and RoHS compliant device Availab

 9.1. Size:180K  1
 std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf pdf_icon

STD1766

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

 9.2. Size:350K  1
 std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf pdf_icon

STD1766

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 9.3. Size:350K  st
 std17n05l std17n06l.pdf pdf_icon

STD1766

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

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