STD1766 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STD1766

Маркировка: B2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-89

 Аналоги (замена) для STD1766

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STD1766 даташит

 ..1. Size:466K  auk
 std1766.pdf pdf_icon

STD1766

STD1766 NPN Silicon Transistor Descriptions Medium power amplifier Collector 2,4 Features Base P (Collector power dissipation)=2W C 1 (Ceramic substrate of 250 0.8t used) Low collector saturation voltage Emitter 3 V =0.5V (Typ.) CE(sat) Complementary pair with STB1188 SOT-89 Green device and RoHS compliant device Availab

 9.1. Size:180K  1
 std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf pdf_icon

STD1766

STD17N05 STD17N06 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STD17N05 50 V

 9.2. Size:350K  1
 std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf pdf_icon

STD1766

STD17N05L STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD17N05L 50 V

 9.3. Size:350K  st
 std17n05l std17n06l.pdf pdf_icon

STD1766

STD17N05L STD17N06L N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD17N05L 50 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: STD123, STD123AS, STD123ASF, STD123SF, STD123U, STD123UF, STD129, STD1664, 2SD669A, STD1862, STD1862L, STD361, STD6528EF, STD6528S, STN2222, STN2222A, STN2222AS