Биполярный транзистор STD1766 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STD1766
Маркировка: B2
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT-89
STD1766 Datasheet (PDF)
std1766.pdf
STD1766 NPN Silicon Transistor Descriptions Medium power amplifier Collector2,4Features Base P (Collector power dissipation)=2W C 1(Ceramic substrate of 250 0.8t used) Low collector saturation voltage Emitter3: V =0.5V (Typ.) CE(sat) Complementary pair with STB1188 SOT-89 Green device and RoHS compliant device Availab
std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdf
STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V
std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdf
STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V
std17n05l std17n06l.pdf
STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V
sti17nf25 sti17nf25 std17nf25 stf17nf25 stp17nf25.pdf
STI17NF25 - STD17NF25STF17NF25 - STP17NF25N-channel 250V - 0.14 - 17A - TO-220/FP - DPAK - I2PAKLow gate charge STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PTOTSTD17NF25 250V
std17n.pdf
STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05L 50 V
std17n05.pdf
STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V
std17nf03l.pdf
STD17NF03LN-CHANNEL 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAKSTripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17NF03L 30V
std17nf25 stf17nf25 stp17nf25.pdf
STD17NF25, STF17NF25, STP17NF25DatasheetN-channel 250 V, 0.140 typ., 17 A STripFET II Power MOSFETs in DPAK, TO-220FP and TO-220 packagesFeaturesTAB321DPAKVDS RDS(on)max. ID PTOTOrder codeTABSTD17NF25 90 WSTF17NF25 250 V 0.165 17 A 25 W32 3121TO-220FP TO-220 STP17NF25 90 WD(2, TAB) Exceptional dv/dt capability 100% avalanche tested
std17nf03l-1 std17nf03lt4.pdf
STD17NF03LSTD17NF03L-1N-channel 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD17NF03L-1 30V
std17ne03l.pdf
STD17NE03LN - CHANNEL 30V - 0.034 - 17A - DPAKSTripFET " POWER MOSFETPRELIMINARY DATATYPE VDSS RDS(on) IDSTD17NE03L 30 V
std17nf03l std17nf03l-1.pdf
STD17NF03LSTD17NF03L-1N-channel 30V - 0.038 - 17A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD17NF03L-1 30V
stu17l01 std17l01.pdf
GreenProductSTU/D17L01aS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).VDSS ID RDS(ON) (m) MaxRugged and reliable.81 @ VGS=10VSuface Mount Package.-100V -17A94 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 251 I
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050