Справочник транзисторов. STD1766

 

Биполярный транзистор STD1766 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: STD1766
   Маркировка: B2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

STD1766 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:466K  auk
std1766.pdfpdf_icon

STD1766

STD1766 NPN Silicon Transistor Descriptions Medium power amplifier Collector2,4Features Base P (Collector power dissipation)=2W C 1(Ceramic substrate of 250 0.8t used) Low collector saturation voltage Emitter3: V =0.5V (Typ.) CE(sat) Complementary pair with STB1188 SOT-89 Green device and RoHS compliant device Availab

 9.1. Size:180K  1
std17n05 std17n05-1 std17n05t4 std17n06 std17n06-1 std17n06t4.pdfpdf_icon

STD1766

STD17N05STD17N06N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD17N05 50 V

 9.2. Size:350K  1
std17n05l-1 std17n06l-1 std17n05lt4 std17n06lt4.pdfpdf_icon

STD1766

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

 9.3. Size:350K  st
std17n05l std17n06l.pdfpdf_icon

STD1766

STD17N05LSTD17N06LN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD17N05L 50 V

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 3DD13003_S1D | CXTA14 | 2SD1576 | DRC4144E | BC847CMTF | 2SC3776

 

 
Back to Top

 


 
.