STD6528EF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD6528EF 📄📄
Código: ZB
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
Tensión colector-base (Vcb): 25 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 1.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 1000
Encapsulados: SOT-523F
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STD6528EF datasheet
std6528ef.pdf
STD6528EF NPN Silicon Transistor Application PIN Connection Micom Direct drive and switching Application Features 3 Very low saturation voltage VCE(sat)=0.2V (Max.) 1 @ IC=50mA, IB=5mA High DC current gain hFE=1000 2500 2 Small size SMD package SOT-523F Ordering Information Type NO. Marking Package Code ZB STD6528EF SOT-523F
std6528s.pdf
STD6528S Semiconductor Semiconductor NPN Silicon Transistor Application Micom Direct drive and switching Application Features Very low saturation voltage VCE(sat)=0.2V (Max.) @ IC=50mA, IB=5mA High DC current gain hFE=1000 2500 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STD6528S ZA SOT-23 Outline Dimensions unit mm 2.20 2.60 1.20 1.40 1 3
std65n55lf3.pdf
STD65N55LF3 N-channel 55 V, 7.0 m , 80 A DPAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID Pw max. STD65N55LF3 55 V
std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf
STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow
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History: AD702K
🌐 : EN ES РУ
Liste
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