STD6528EF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STD6528EF

Маркировка: ZB

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: SOT-523F

 Аналоги (замена) для STD6528EF

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STD6528EF даташит

 ..1. Size:319K  auk
 std6528ef.pdf pdf_icon

STD6528EF

STD6528EF NPN Silicon Transistor Application PIN Connection Micom Direct drive and switching Application Features 3 Very low saturation voltage VCE(sat)=0.2V (Max.) 1 @ IC=50mA, IB=5mA High DC current gain hFE=1000 2500 2 Small size SMD package SOT-523F Ordering Information Type NO. Marking Package Code ZB STD6528EF SOT-523F

 7.1. Size:300K  auk
 std6528s.pdf pdf_icon

STD6528EF

STD6528S Semiconductor Semiconductor NPN Silicon Transistor Application Micom Direct drive and switching Application Features Very low saturation voltage VCE(sat)=0.2V (Max.) @ IC=50mA, IB=5mA High DC current gain hFE=1000 2500 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STD6528S ZA SOT-23 Outline Dimensions unit mm 2.20 2.60 1.20 1.40 1 3

 9.1. Size:800K  st
 std65n55lf3.pdf pdf_icon

STD6528EF

STD65N55LF3 N-channel 55 V, 7.0 m , 80 A DPAK STripFET III Power MOSFET Features RDS(on) Order code VDSS ID Pw max. STD65N55LF3 55 V

 9.2. Size:791K  st
 std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf pdf_icon

STD6528EF

STD65N3LLH5 STU65N3LLH5 N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAK STripFET V Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A 3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3 2 1 1 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate charge DPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: STD123U, STD123UF, STD129, STD1664, STD1766, STD1862, STD1862L, STD361, 2SA1015, STD6528S, STN2222, STN2222A, STN2222AS, STN2222ASF, STN2222S, STN2222SF, STN2907