Справочник транзисторов. STD6528EF

 

Биполярный транзистор STD6528EF Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: STD6528EF
   Маркировка: ZB
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: SOT-523F
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

STD6528EF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  auk
std6528ef.pdfpdf_icon

STD6528EF

STD6528EFNPN Silicon TransistorApplication PIN Connection Micom Direct drive and switching Application Features 3 Very low saturation voltage: VCE(sat)=0.2V (Max.) 1 @ IC=50mA, IB=5mA High DC current gain: hFE=1000~2500 2 Small size SMD package SOT-523F Ordering Information Type NO. Marking Package Code ZB STD6528EF SOT-523F

 7.1. Size:300K  auk
std6528s.pdfpdf_icon

STD6528EF

STD6528SSemiconductor Semiconductor NPN Silicon TransistorApplication Micom Direct drive and switching Application Features Very low saturation voltage: VCE(sat)=0.2V (Max.) @ IC=50mA, IB=5mA High DC current gain: hFE=1000~2500 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STD6528S ZA SOT-23Outline Dimensions unit : mm 2.20~2.60 1.20~1.40 1 3

 9.1. Size:800K  st
std65n55lf3.pdfpdf_icon

STD6528EF

STD65N55LF3N-channel 55 V, 7.0 m, 80 A DPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS ID Pwmax.STD65N55LF3 55 V

 9.2. Size:791K  st
std65n3llh5 stu65n3llh5.pdfpdf_icon

STD6528EF

STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: 2SA608SPA | 2SA1362G | CIL512 | 2N3730 | CG030A | MJL3281A | KSC2310Y

 

 
Back to Top

 


 
.