Биполярный транзистор STD6528EF - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: STD6528EF
Маркировка: ZB
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: SOT-523F
Аналоги (замена) для STD6528EF
STD6528EF Datasheet (PDF)
std6528ef.pdf
STD6528EFNPN Silicon TransistorApplication PIN Connection Micom Direct drive and switching Application Features 3 Very low saturation voltage: VCE(sat)=0.2V (Max.) 1 @ IC=50mA, IB=5mA High DC current gain: hFE=1000~2500 2 Small size SMD package SOT-523F Ordering Information Type NO. Marking Package Code ZB STD6528EF SOT-523F
std6528s.pdf
STD6528SSemiconductor Semiconductor NPN Silicon TransistorApplication Micom Direct drive and switching Application Features Very low saturation voltage: VCE(sat)=0.2V (Max.) @ IC=50mA, IB=5mA High DC current gain: hFE=1000~2500 Ordering Information Type NO. Marking Package Code STD6528S ZA SOT-23Outline Dimensions unit : mm 2.20~2.60 1.20~1.40 1 3
std65n55lf3.pdf
STD65N55LF3N-channel 55 V, 7.0 m, 80 A DPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesRDS(on) Order code VDSS ID Pwmax.STD65N55LF3 55 V
std65n3llh5 stu65n3llh5.pdf
STD65N3LLH5STU65N3LLH5N-channel 30 V, 0.0061 , 65 A, DPAK, IPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD65N3LLH5 30 V 0.0069 65 A STU65N3LLH5 30 V 0.0073 65 A3 RDS(on) * Qg industry benchmark 3211 Extremely low on-resistance RDS(on) Very low switching gate chargeDPAK IPAK High avalanche ruggedness Low gate drive pow
std65nf06 stp65nf06.pdf
STD65NF06STP65NF06N-channel 60V - 11.5m - 60A - DPAK/TO-220STripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD65NF06 60V
std65n55f3.pdf
STD65N55F3N-channel 55V - 6.5m - 80A - DPAKSTripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID PwSTD65N55F3 55V
stu650s std650s.pdf
GreenProductSTU/D650SaS mHop Microelectronics C orp.Ver 1.0N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURESPRODUCT SUMMARYSuper high dense cell design for low RDS(ON).RDS(ON) (m) MaxVDSS IDRugged and reliable.75 @ VGS=10VTO-252 and TO-251 Package.16A65V97 @ VGS=4.5VGGSSSTU SERIESSTD SERIES( )TO - 252AA D- PAK ( )TO - 25
std65n55f3.pdf
STD65N55F3www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) 60 Package with Low Thermal ResistanceRDS(on) () at VGS = 10 V 0.0063 100 % Rg and UIS TestedRDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.0120ID (A) 97Configuration SingleDTO-252GSG D STop ViewN-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25
std65nf06.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STD65NF06FEATURESWith TO-252( DPAK ) packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050