SUT509EF Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SUT509EF

Código: 3X

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60(50) V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2(4) pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-563F

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SUT509EF datasheet

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SUT509EF

SUT509EF Epitaxial planar NPN/PNP silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Both 2SA1980 chip and 2SC5343 chip in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT509EF SOT-563F 3X Year & Week Code

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SUT509EF

SUT507EF Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT507EF SOT-563F 6X Year & Week Code Equivalent circuit

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