SUT509EF Todos los transistores

 

SUT509EF . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SUT509EF
   Código: 3X
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60(50) V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2(4) pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT-563F
 

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SUT509EF Datasheet (PDF)

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SUT509EF

SUT509EFEpitaxial planar NPN/PNP silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Both 2SA1980 chip and 2SC5343 chip in SOT-563F package Package : SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT509EF SOT-563F 3X : Year & Week Code

 9.1. Size:287K  auk
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SUT509EF

SUT507EFEpitaxial planar NPN silicon transistorDescription Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-563F package Package : SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT507EF SOT-563F 6X : Year & Week Code Equivalent circuit

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