SUT509EF - Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SUT509EF
Маркировка: 3X
Тип материала: Si
Полярность: NPN*PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60(50) V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2(4) pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: SOT-563F
Аналоги (замена) для SUT509EF
SUT509EF - технические параметры
sut509ef.pdf
SUT509EF Epitaxial planar NPN/PNP silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Both 2SA1980 chip and 2SC5343 chip in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT509EF SOT-563F 3X Year & Week Code
sut507ef.pdf
SUT507EF Epitaxial planar NPN silicon transistor Description Complex type bipolar transistor Feature Very small package save PCB area Reduce quantity of parts and mounting cost Two 2SC5343 chips in SOT-563F package Package SOT-563F Ordering Information Type NO. Marking Package Code SUT507EF SOT-563F 6X Year & Week Code Equivalent circuit
Другие транзисторы... SUT484J , SUT485J , SUT486J , SUT487J , SUT488J , SUT495J , SUT497H , SUT507EF , 13003 , SUT510EF , SUT562EF , SUT575EF , 4124 , 4126 , 4128 , 5302 , 13002AH .
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc945 replacement | 9014 transistor | irfp260n datasheet | irfp250m | 2sk1058 | ss8550 | mje15033 | 2sc945 datasheet



