13005EC Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 13005EC  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W

Tensión colector-base (Vcb): 850 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 4 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 65 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 8

Encapsulados: TO-126 TO-251

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13005EC datasheet

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13005EC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005EC Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. FEATURES * VCEO(SUS)= 850 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC =

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13005EC

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13005ED MAIN CHARACTERISTICS Package I 4A C V 450V CEO P (IPAK/TO-126/126F/220HF) 40W C P (DPAK) 50W C P (TO-220/220C/262/263) 75W C TO-220C-S1 TO-220C TO-220 APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ba

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13005EC

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13005EC

R 13005ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

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