13005EC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 13005EC  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 8

Корпус транзистора: TO-126 TO-251

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 13005EC

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

13005EC даташит

 ..1. Size:158K  utc
13005ec.pdfpdf_icon

13005EC

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 13005EC Preliminary NPN SILICON TRANSISTOR NPN SILICON POWER TRANSISTORS DESCRIPTION These devices are designed for high-voltage, high-speed power switching inductive circuits where fall time is critical. They are particularly suited for 115 and 220 V SWITCHMODE. FEATURES * VCEO(SUS)= 850 V * Reverse bias SOA with inductive loads @ TC =

 8.1. Size:1011K  jilin sino
3dd13005ed.pdfpdf_icon

13005EC

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD13005ED MAIN CHARACTERISTICS Package I 4A C V 450V CEO P (IPAK/TO-126/126F/220HF) 40W C P (DPAK) 50W C P (TO-220/220C/262/263) 75W C TO-220C-S1 TO-220C TO-220 APPLICATIONS Energy-saving light Electronic ba

 8.2. Size:116K  jdsemi
s13005ed.pdfpdf_icon

13005EC

 8.3. Size:117K  jdsemi
13005ed.pdfpdf_icon

13005EC

R 13005ED www.jdsemi.cn Bipolar Junction Transistor ShenZhen Jingdao Electronic Co.,Ltd. Si NPN RoHS COMPLIANT 1 1 1 APPLICATION 1 Fluorescent Lamp Electronic Ballast and Switch-mode power supplies 2 2 2

Другие транзисторы: 13002AH, 13003ADA, 13003BS, 13003DE, 13003DF, 13003DH, 13003DW, 13003EDA, 8550, 2SA1627A, 2SC5027E, 2SC5353B, 2SC5889, 2SD2470, 4124D, 4126D, 4128D