2SA1627A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SA1627A

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 10 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 42 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 30

Encapsulados: TO-126 TO-126C TO-252 SOT-223

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2SA1627A datasheet

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2SA1627A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1627A PNP SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627A is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES * High voltage * Low collector saturation voltage. * High-speed switching ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing

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2SA1627A

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2SA1627A

UTC 2SA1627 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES *High voltage *Low collector saturation voltage. *High-speed switching 1 TO-126 1 EMITTER 2 COLLECTOR 3 BASE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25 C ) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT

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2SA1627A

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