Справочник транзисторов. 2SA1627A

 

Биполярный транзистор 2SA1627A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SA1627A
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO-126 TO-126C TO-252 SOT-223
 

 Аналог (замена) для 2SA1627A

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1627A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:233K  utc
 2sa1627a.pdf pdf_icon

2SA1627A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1627A PNP SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627A is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES * High voltage * Low collector saturation voltage. * High-speed switching ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing

 7.1. Size:147K  nec
 2sa1627.pdf pdf_icon

2SA1627A

 7.2. Size:97K  utc
 2sa1627.pdf pdf_icon

2SA1627A

UTC 2SA1627 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES *High voltage *Low collector saturation voltage. *High-speed switching 1TO-126 1:EMITTER 2:COLLECTOR 3:BASEABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25C ) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT

 8.1. Size:102K  1
 2sa1623.pdf pdf_icon

2SA1627A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 13003ADA , 13003BS , 13003DE , 13003DF , 13003DH , 13003DW , 13003EDA , 13005EC , TIP31 , 2SC5027E , 2SC5353B , 2SC5889 , 2SD2470 , 4124D , 4126D , 4128D , 5302D .

 

 
Back to Top

 


 
.