2SA1627A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SA1627A

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 42 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO-126 TO-126C TO-252 SOT-223

 Аналоги (замена) для 2SA1627A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SA1627A даташит

 ..1. Size:233K  utc
 2sa1627a.pdf pdf_icon

2SA1627A

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SA1627A PNP SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627A is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES * High voltage * Low collector saturation voltage. * High-speed switching ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing

 7.1. Size:147K  nec
 2sa1627.pdf pdf_icon

2SA1627A

 7.2. Size:97K  utc
 2sa1627.pdf pdf_icon

2SA1627A

UTC 2SA1627 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SA1627 is designed for general purpose amplifier and high speed switching applications. FEATURES *High voltage *Low collector saturation voltage. *High-speed switching 1 TO-126 1 EMITTER 2 COLLECTOR 3 BASE ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25 C ) PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT

 8.1. Size:102K  1
 2sa1623.pdf pdf_icon

2SA1627A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 13003ADA, 13003BS, 13003DE, 13003DF, 13003DH, 13003DW, 13003EDA, 13005EC, 8050, 2SC5027E, 2SC5353B, 2SC5889, 2SD2470, 4124D, 4126D, 4128D, 5302D