UBV45 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: UBV45
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.95 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.75 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 12
Paquete / Cubierta: TO-92
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UBV45 Datasheet (PDF)
ubv45.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UBV45 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER APPLICATIONS DESCRIPTION The device is manufactured using High Voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The UTC UBV45 is designed for use in Compact FluorescentLamps. FEATURES * High Voltage Capability * Low Sprea
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: 2N5185 | EMX1FHA | CDQ10033 | 2SD1387 | 2SC3970A | 2SD1389 | 2N4929
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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