UBV45. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: UBV45

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.95 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO-92

 Аналоги (замена) для UBV45

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

UBV45 даташит

 ..1. Size:158K  utc
 ubv45.pdf pdf_icon

UBV45

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UBV45 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER APPLICATIONS DESCRIPTION The device is manufactured using High Voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The UTC UBV45 is designed for use in Compact Fluorescent Lamps. FEATURES * High Voltage Capability * Low Sprea

Другие транзисторы: MPSA44H, PZT1816, PZT4033, SB2202, T2096, TC200, TUL1102, TUL1203, MPSA42, ULB121, ULB122, ULB124, UN1066, UN1518, UN1596, UP1496, UP1753