Биполярный транзистор UBV45 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: UBV45
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.95 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.75 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Корпус транзистора: TO-92
UBV45 Datasheet (PDF)
..1. Size:158K utc
ubv45.pdf
ubv45.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UBV45 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE FAST SWITCHING NPN POWER APPLICATIONS DESCRIPTION The device is manufactured using High Voltage Multi Epitaxial Planar technology for high switching speeds and high voltage capability. The UTC UBV45 is designed for use in Compact FluorescentLamps. FEATURES * High Voltage Capability * Low Sprea
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050