USS5350 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: USS5350
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT-223 SOT-89
Búsqueda de reemplazo de USS5350
USS5350 Datasheet (PDF)
uss5350.pdf

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD USS5350 Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 1 FEATURES SOT-89* Low collector-emitter saturation voltage VCE(SAT) * High collector current capability: IC and ICM * Higher efficiency leading to less heat generation * Reduced printed-circuit board requirements. * Complement: USS4350. 1SOT-223 O
Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
History: 2H1259 | ZTX4403M | ZTX321M | ZT22
History: 2H1259 | ZTX4403M | ZTX321M | ZT22



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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