USS5350 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: USS5350
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 35 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT-223 SOT-89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar USS5350
USS5350 Datasheet (PDF)
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD USS5350 Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 1 FEATURES SOT-89* Low collector-emitter saturation voltage VCE(SAT) * High collector current capability: IC and ICM * Higher efficiency leading to less heat generation * Reduced printed-circuit board requirements. * Complement: USS4350. 1SOT-223 O
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