USS5350 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: USS5350

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 35 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT-223 SOT-89

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USS5350 datasheet

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USS5350

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD USS5350 Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 1 FEATURES SOT-89 * Low collector-emitter saturation voltage VCE(SAT) * High collector current capability IC and ICM * Higher efficiency leading to less heat generation * Reduced printed-circuit board requirements. * Complement USS4350. 1 SOT-223 O

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