USS5350. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: USS5350

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: SOT-223 SOT-89

 Аналоги (замена) для USS5350

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

USS5350 даташит

 ..1. Size:151K  utc
 uss5350.pdf pdf_icon

USS5350

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD USS5350 Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 1 FEATURES SOT-89 * Low collector-emitter saturation voltage VCE(SAT) * High collector current capability IC and ICM * Higher efficiency leading to less heat generation * Reduced printed-circuit board requirements. * Complement USS4350. 1 SOT-223 O

Другие транзисторы: UP1855, UP1855A, UP1856, UP1868, UP2518, UP2855, USS4350, USS4450, 2N3904, UT2274, X1049A, 2SC2328A, 2SD882S, 8050S, D882SS, HE8051, MMBT1815