Биполярный транзистор USS5350 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: USS5350
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT-223 SOT-89
USS5350 Datasheet (PDF)
..1. Size:151K utc
uss5350.pdf
uss5350.pdf
UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD USS5350 Preliminary PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR 50V,3A PNP LOW VCE(SAT) TRANSISTOR 1 FEATURES SOT-89* Low collector-emitter saturation voltage VCE(SAT) * High collector current capability: IC and ICM * Higher efficiency leading to less heat generation * Reduced printed-circuit board requirements. * Complement: USS4350. 1SOT-223 O
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
