BLD101D Todos los transistores

 

BLD101D . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLD101D
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 7 W
   Tensión colector-base (Vcb): 500 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 10
   Paquete / Cubierta: TO92 TO92S
 

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BLD101D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  sisemi
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BLD101D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101DNPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101DNPN D /D SE

 9.1. Size:346K  sisemi
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BLD101D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationShenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product SpecificationNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD102DNPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD102DNPN D / D

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History: DRCQA15T | UN6115S | FMMT4126

 

 
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