BLD101D - описание и поиск аналогов

 

BLD101D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLD101D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO92 TO92S

 Аналоги (замена) для BLD101D

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLD101D даташит

 ..1. Size:318K  sisemi
 bld101d.pdf pdf_icon

BLD101D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101D NPN D /D SERIES TRANSISTORS BLD101D NPN D /D SE

 9.1. Size:346K  sisemi
 bld102d.pdf pdf_icon

BLD101D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD102D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLD102D NPN D / D

Другие транзисторы... BUL6822 , BUL6822A , BUL6823 , BUL6823A , MJE13003BR , MJE13003BRH , 2SB1334A , MJE13009A , BC639 , BLD102D , BLD112D , BLD122D , BLD122DL , BLD123D , BLD123DAL , BLD123DL , BLD128D .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.