BLDB128D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLDB128D
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W
Tensión colector-base (Vcb): 700 V
Tensión colector-emisor (Vce): 400 V
Tensión emisor-base (Veb): 9 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
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BLDB128D datasheet
bldb128d.pdf
Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLDB128D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLDB128D NPN D /
Otros transistores... BLD135D , BLD135DH , BLD135DL , BLD137D , BLD137DL , BLD139D , BLD139DL , BLD155DL , BC547 , BUL68H5T , MJE13001AH , MJE13001H , MJE13002AHT , MJE13003HT , LB120A3 , 2N4401A3 , 2N4403A3 .
History: 2SB1219 | BC489-18 | MJE13003HT
History: 2SB1219 | BC489-18 | MJE13003HT
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Liste
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