BLDB128D Todos los transistores

 

BLDB128D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLDB128D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 400 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 10

Encapsulados: TO262 TO263

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BLDB128D datasheet

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BLDB128D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLDB128D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLDB128D NPN D /

Otros transistores... BLD135D , BLD135DH , BLD135DL , BLD137D , BLD137DL , BLD139D , BLD139DL , BLD155DL , BC547 , BUL68H5T , MJE13001AH , MJE13001H , MJE13002AHT , MJE13003HT , LB120A3 , 2N4401A3 , 2N4403A3 .

History: 2SB1219 | BC489-18 | MJE13003HT

 

 

 


History: 2SB1219 | BC489-18 | MJE13003HT

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