BLDB128D - описание и поиск аналогов

 

BLDB128D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLDB128D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO262 TO263

 Аналоги (замена) для BLDB128D

- подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BLDB128D даташит

 ..1. Size:179K  sisemi
bldb128d.pdfpdf_icon

BLDB128D

Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification Shenzhen SI Semiconductors Co., LTD. Product Specification NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLDB128D NPN D / D SERIES TRANSISTORS BLDB128D NPN D /

Другие транзисторы... BLD135D , BLD135DH , BLD135DL , BLD137D , BLD137DL , BLD139D , BLD139DL , BLD155DL , BC547 , BUL68H5T , MJE13001AH , MJE13001H , MJE13002AHT , MJE13003HT , LB120A3 , 2N4401A3 , 2N4403A3 .

History: BC487-18 | BLD123DAL | BC487

 

 

 

 

↑ Back to Top
.