BTA3513I3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTA3513I3
Código: A3513
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 98 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: TO251
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BTA3513I3
BTA3513I3 Datasheet (PDF)
bta3513i3.pdf
Spec. No. : C607I3 Issued Date : 2012.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -10ABTA3513I3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTA3513I3BBase CCollector B C
bta3513j3.pdf
Spec. No. : C607J3 Issued Date : 2010.12.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -8ABTA3513J3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTA3513J3 TO-252(DPAK) BBase CCollector
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History: NA22HX
History: NA22HX
Liste
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