BTA3513I3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTA3513I3

Código: A3513

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 98 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: TO251

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BTA3513I3 datasheet

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BTA3513I3

Spec. No. C607I3 Issued Date 2012.02.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80V IC -10A BTA3513I3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTA3513I3 B Base C Collector B C

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BTA3513I3

Spec. No. C607J3 Issued Date 2010.12.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80V IC -8A BTA3513J3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTA3513J3 TO-252(DPAK) B Base C Collector

Otros transistores... BTA1774C3, BTA1797M3, BTA1900M3, BTA1952E3, BTA1952I3, BTA1952J3, BTA1972K3, BTA2029Y3, 2SC945, BTA3513J3, BTA4403A3, BTA9012A3, BTB589N3, BTB718N3, BTB772AJ3, BTB772AM3, BTB772I3