BTA3513I3 Todos los transistores

 

BTA3513I3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTA3513I3
   Código: A3513
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 98 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: TO251
     - Selección de transistores por parámetros

 

BTA3513I3 Datasheet (PDF)

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BTA3513I3

Spec. No. : C607I3 Issued Date : 2012.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -10ABTA3513I3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTA3513I3BBase CCollector B C

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BTA3513I3

Spec. No. : C607J3 Issued Date : 2010.12.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -8ABTA3513J3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTA3513J3 TO-252(DPAK) BBase CCollector

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: 2SC724 | MUN5313DW1T1G | 2SB968 | BUT50P | 2SC3405 | MJH11022G | 2N1683

 

 
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