BTA3513I3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTA3513I3

Маркировка: A3513

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 98 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO251

 Аналоги (замена) для BTA3513I3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTA3513I3 даташит

 ..1. Size:247K  cystek
 bta3513i3.pdf pdf_icon

BTA3513I3

Spec. No. C607I3 Issued Date 2012.02.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80V IC -10A BTA3513I3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTA3513I3 B Base C Collector B C

 7.1. Size:318K  cystek
 bta3513j3.pdf pdf_icon

BTA3513I3

Spec. No. C607J3 Issued Date 2010.12.08 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80V IC -8A BTA3513J3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTA3513J3 TO-252(DPAK) B Base C Collector

Другие транзисторы: BTA1774C3, BTA1797M3, BTA1900M3, BTA1952E3, BTA1952I3, BTA1952J3, BTA1972K3, BTA2029Y3, 2SC945, BTA3513J3, BTA4403A3, BTA9012A3, BTB589N3, BTB718N3, BTB772AJ3, BTB772AM3, BTB772I3