Биполярный транзистор BTA3513I3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTA3513I3
Маркировка: A3513
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 98 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: TO251
Аналоги (замена) для BTA3513I3
BTA3513I3 Datasheet (PDF)
bta3513i3.pdf
Spec. No. : C607I3 Issued Date : 2012.02.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/9 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -10ABTA3513I3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTA3513I3BBase CCollector B C
bta3513j3.pdf
Spec. No. : C607J3 Issued Date : 2010.12.08 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -80VIC -8ABTA3513J3 RCESAT 75m typ. Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTA3513J3 TO-252(DPAK) BBase CCollector
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , BD777 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050