BTB589N3 Todos los transistores

 

BTB589N3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTB589N3
   Código: AH
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 12 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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BTB589N3 Datasheet (PDF)

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BTB589N3

Spec. No. : C314N3 Issued Date : 2005.04.20 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.05.08 Page No. : 1/ 6 Low Saturation PNP Epitaxial Planar Transistor BTB589N3Description The BTB589N3 is designed with high current gain and low saturation voltage with collector current up to 1A continuous. Features Low VCE(SAT) , VCE(SAT) -0.3V (I / I =-1A/-100mA) C B L

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BTB589N3

Spec. No. : C240M3 CYStech Electronics Corp. Issued Date : 2012.10.18 Revised Date : 2013.08.07 Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB5839M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTB5893M3 SOT-89 BBa

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