BTB589N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB589N3

Маркировка: AH

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTB589N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB589N3 даташит

 ..1. Size:258K  cystek
 btb589n3.pdf pdf_icon

BTB589N3

Spec. No. C314N3 Issued Date 2005.04.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.05.08 Page No. 1/ 6 Low Saturation PNP Epitaxial Planar Transistor BTB589N3 Description The BTB589N3 is designed with high current gain and low saturation voltage with collector current up to 1A continuous. Features Low VCE(SAT) , VCE(SAT) -0.3V (I / I =-1A/-100mA) C B L

 9.1. Size:245K  cystek
 btb5839m3.pdf pdf_icon

BTB589N3

Spec. No. C240M3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2012.10.18 Revised Date 2013.08.07 Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB5839M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline BTB5893M3 SOT-89 B Ba

Другие транзисторы: BTA1952I3, BTA1952J3, BTA1972K3, BTA2029Y3, BTA3513I3, BTA3513J3, BTA4403A3, BTA9012A3, 2SC2655, BTB718N3, BTB772AJ3, BTB772AM3, BTB772I3, BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3, BTB818AG6