BTB826M3 Todos los transistores

 

BTB826M3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTB826M3
   Código: AE
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 20 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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BTB826M3 Datasheet (PDF)

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BTB826M3

Spec. No. : C812M3 Issued Date : 2003.05.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.12 Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB826M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.65 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB826M3 SOT-89 BBase CCollect

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History: AD136-4 | 40396 | 2SC3182N

 

 
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