Справочник транзисторов. BTB826M3

 

Биполярный транзистор BTB826M3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTB826M3
   Маркировка: AE
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для BTB826M3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB826M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  cystek
 btb826m3.pdf pdf_icon

BTB826M3

Spec. No. : C812M3 Issued Date : 2003.05.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.12 Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB826M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.65 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB826M3 SOT-89 BBase CCollect

Другие транзисторы... BTB772AJ3 , BTB772AM3 , BTB772I3 , BTB772J3 , BTB772ST3 , BTB772T3 , BTB818AG6 , BTB818N6 , 2SD669 , BTB857AD3 , BTB857D3 , BTB1184J3 , BTB1188AM3 , BTB1188M3 , BTB1188M3R , BTB1197N3 , BTB1198A3 .

History: 2SD21 | OC817 | TV37

 

 
Back to Top

 


 
.