BTB826M3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB826M3

Маркировка: AE

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для BTB826M3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB826M3 даташит

 ..1. Size:243K  cystek
 btb826m3.pdf pdf_icon

BTB826M3

Spec. No. C812M3 Issued Date 2003.05.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.12 Page No. 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB826M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.65 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB826M3 SOT-89 B Base C Collect

Другие транзисторы: BTB772AJ3, BTB772AM3, BTB772I3, BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3, BTB818AG6, BTB818N6, TIP2955, BTB857AD3, BTB857D3, BTB1184J3, BTB1188AM3, BTB1188M3, BTB1188M3R, BTB1197N3, BTB1198A3