Справочник транзисторов. BTB826M3

 

Биполярный транзистор BTB826M3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTB826M3
   Маркировка: AE
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

BTB826M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  cystek
 btb826m3.pdf pdf_icon

BTB826M3

Spec. No. : C812M3 Issued Date : 2003.05.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.08.12 Page No. : 1/7 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB826M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.65 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating package Symbol Outline BTB826M3 SOT-89 BBase CCollect

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: BFS91A | TN3467 | FBP5096G3

 

 
Back to Top

 


 
.