BTB857D3 Todos los transistores

 

BTB857D3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTB857D3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: TO126ML
 

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BTB857D3 Datasheet (PDF)

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BTB857D3

Spec. No. : C601D3 Issued Date : 2008.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857D3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103D3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB857D

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BTB857D3

Spec. No. : C601D3 Issued Date : 2008.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.02.17 Page No. : 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857AD3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.15V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA RoHS compliant package Symbol Outline BTB857AD3 TO-126ML BBa

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History: 2SA1942 | BLX88 | 2SC4511 | KN4F3P | KT912A | 2SC1236 | BFR72

 

 
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