BTB857D3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTB857D3

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 15 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: TO126ML

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BTB857D3 datasheet

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BTB857D3

Spec. No. C601D3 Issued Date 2008.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857D3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103D3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB857D

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BTB857D3

Spec. No. C601D3 Issued Date 2008.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.02.17 Page No. 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857AD3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.15V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA RoHS compliant package Symbol Outline BTB857AD3 TO-126ML B Ba

Otros transistores... BTB772I3, BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3, BTB818AG6, BTB818N6, BTB826M3, BTB857AD3, 2SC2240, BTB1184J3, BTB1188AM3, BTB1188M3, BTB1188M3R, BTB1197N3, BTB1198A3, BTB1198K3, BTB1198M3