BTB857D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB857D3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: TO126ML

 Аналоги (замена) для BTB857D3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB857D3 даташит

 ..1. Size:241K  cystek
 btb857d3.pdf pdf_icon

BTB857D3

Spec. No. C601D3 Issued Date 2008.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857D3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103D3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB857D

 8.1. Size:220K  cystek
 btb857ad3.pdf pdf_icon

BTB857D3

Spec. No. C601D3 Issued Date 2008.12.23 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2012.02.17 Page No. 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857AD3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.15V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA RoHS compliant package Symbol Outline BTB857AD3 TO-126ML B Ba

Другие транзисторы: BTB772I3, BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3, BTB818AG6, BTB818N6, BTB826M3, BTB857AD3, 2SC2240, BTB1184J3, BTB1188AM3, BTB1188M3, BTB1188M3R, BTB1197N3, BTB1198A3, BTB1198K3, BTB1198M3