Справочник транзисторов. BTB857D3

 

Биполярный транзистор BTB857D3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTB857D3
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: TO126ML
 

 Аналог (замена) для BTB857D3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB857D3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  cystek
 btb857d3.pdf pdf_icon

BTB857D3

Spec. No. : C601D3 Issued Date : 2008.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857D3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103D3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB857D

 8.1. Size:220K  cystek
 btb857ad3.pdf pdf_icon

BTB857D3

Spec. No. : C601D3 Issued Date : 2008.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.02.17 Page No. : 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857AD3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.15V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA RoHS compliant package Symbol Outline BTB857AD3 TO-126ML BBa

Другие транзисторы... BTB772I3 , BTB772J3 , BTB772ST3 , BTB772T3 , BTB818AG6 , BTB818N6 , BTB826M3 , BTB857AD3 , D882P , BTB1184J3 , BTB1188AM3 , BTB1188M3 , BTB1188M3R , BTB1197N3 , BTB1198A3 , BTB1198K3 , BTB1198M3 .

History: 2SC1240 | BLV98 | 2SC3599C

 

 
Back to Top

 


 
.