BTB1386M3 Todos los transistores

 

BTB1386M3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTB1386M3
   Código: BH
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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BTB1386M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  cystek
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BTB1386M3

Spec. No. : C815M3 Issued Date : 2005.03.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.20 Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25 V (typical), at IC / IB = -3A / -60mA Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTD2098M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Sym

 7.1. Size:165K  cystek
 btb1386q8.pdf pdf_icon

BTB1386M3

Spec. No. : C815Q8 Issued Date : 2005.06.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.12.21 Page No. : 1/4 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386Q8 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Pb-free package Equivalent Circuit Outline BTB1386Q8 SO-8 CCollector B

Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

History: KT902AM | 2SD2457 | CL166 | KTA1664 | 2SC1249R | 2N5844 | BDW63D

 

 
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