BTB1386M3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTB1386M3
Código: BH
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de BTB1386M3
BTB1386M3 datasheet
btb1386m3.pdf
Spec. No. C815M3 Issued Date 2005.03.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.20 Page No. 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25 V (typical), at IC / IB = -3A / -60mA Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTD2098M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Sym
Otros transistores... BTB1236AI3 , BTB1236AJ3 , BTB1236AK3 , BTB1236AM3 , BTB1236AT3 , BTB1238AL3 , BTB1238AM3 , BTB1243I3 , BC547 , BTB1386Q8 , BTB1412J3 , BTB1424A3 , BTB1424AD3 , BTB1424AM3 , BTB1424AT3 , BTB1424FP , BTB1424L3 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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