Биполярный транзистор BTB1386M3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB1386M3
Маркировка: BH
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT89
Аналоги (замена) для BTB1386M3
BTB1386M3 Datasheet (PDF)
btb1386m3.pdf
Spec. No. : C815M3 Issued Date : 2005.03.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.20 Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25 V (typical), at IC / IB = -3A / -60mA Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTD2098M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Sym
btb1386q8.pdf
Spec. No. : C815Q8 Issued Date : 2005.06.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.12.21 Page No. : 1/4 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386Q8 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Pb-free package Equivalent Circuit Outline BTB1386Q8 SO-8 CCollector B
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050