Справочник транзисторов. BTB1386M3

 

Биполярный транзистор BTB1386M3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTB1386M3
   Маркировка: BH
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для BTB1386M3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB1386M3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:262K  cystek
 btb1386m3.pdf pdf_icon

BTB1386M3

Spec. No. : C815M3 Issued Date : 2005.03.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.20 Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25 V (typical), at IC / IB = -3A / -60mA Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTD2098M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Sym

 7.1. Size:165K  cystek
 btb1386q8.pdf pdf_icon

BTB1386M3

Spec. No. : C815Q8 Issued Date : 2005.06.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.12.21 Page No. : 1/4 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386Q8 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Pb-free package Equivalent Circuit Outline BTB1386Q8 SO-8 CCollector B

Другие транзисторы... BTB1236AI3 , BTB1236AJ3 , BTB1236AK3 , BTB1236AM3 , BTB1236AT3 , BTB1238AL3 , BTB1238AM3 , BTB1243I3 , TIP41C , BTB1386Q8 , BTB1412J3 , BTB1424A3 , BTB1424AD3 , BTB1424AM3 , BTB1424AT3 , BTB1424FP , BTB1424L3 .

History: 2SB550 | INA6005AP1 | KT3102VM

 

 
Back to Top

 


 
.