BTB1386Q8 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTB1386Q8

Código: B1386

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2.5 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: SOP8

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BTB1386Q8 datasheet

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BTB1386Q8

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BTB1386Q8

Spec. No. C815M3 Issued Date 2005.03.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.20 Page No. 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25 V (typical), at IC / IB = -3A / -60mA Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTD2098M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Sym

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