BTB1386Q8 Todos los transistores

 

BTB1386Q8 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTB1386Q8
   Código: B1386
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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BTB1386Q8 Datasheet (PDF)

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BTB1386Q8

Spec. No. : C815Q8 Issued Date : 2005.06.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.12.21 Page No. : 1/4 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386Q8 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (typical), at IC / IB = -3A / -0.15A Excellent DC current gain characteristics Pb-free package Equivalent Circuit Outline BTB1386Q8 SO-8 CCollector B

 7.1. Size:262K  cystek
 btb1386m3.pdf pdf_icon

BTB1386Q8

Spec. No. : C815M3 Issued Date : 2005.03.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2014.05.20 Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25 V (typical), at IC / IB = -3A / -60mA Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTD2098M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Sym

Otros transistores... BTB1236AJ3 , BTB1236AK3 , BTB1236AM3 , BTB1236AT3 , BTB1238AL3 , BTB1238AM3 , BTB1243I3 , BTB1386M3 , BD139 , BTB1412J3 , BTB1424A3 , BTB1424AD3 , BTB1424AM3 , BTB1424AT3 , BTB1424FP , BTB1424L3 , BTB1424N3 .

History: GES2906A | 2SC1089B | GI3643 | ECG354 | EW58-1 | NPS5129

 

 
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