BTB1386Q8. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB1386Q8

Маркировка: B1386

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOP8

 Аналоги (замена) для BTB1386Q8

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB1386Q8 даташит

 ..1. Size:165K  cystek
 btb1386q8.pdf pdf_icon

BTB1386Q8

 7.1. Size:262K  cystek
 btb1386m3.pdf pdf_icon

BTB1386Q8

Spec. No. C815M3 Issued Date 2005.03.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.05.20 Page No. 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB1386M3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25 V (typical), at IC / IB = -3A / -60mA Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTD2098M3 Pb-free lead plating and halogen-free package Sym

Другие транзисторы: BTB1236AJ3, BTB1236AK3, BTB1236AM3, BTB1236AT3, BTB1238AL3, BTB1238AM3, BTB1243I3, BTB1386M3, 2SC5200, BTB1412J3, BTB1424A3, BTB1424AD3, BTB1424AM3, BTB1424AT3, BTB1424FP, BTB1424L3, BTB1424N3