BTB4511J3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTB4511J3

Código: B4511

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 140 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 65 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO252

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BTB4511J3 datasheet

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BTB4511J3

Spec. No. C662J3 Issued Date 2010.10.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.08 Page No. 1/6 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTB4511J3 Features 5 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps Extremely low equivalent

Otros transistores... BTB1424N3, BTB1427M3, BTB1498N3, BTB1580J3, BTB1580L3, BTB1580M3, BTB1590N3, BTB4110D3, TIP122, BTB5140N3, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3