Биполярный транзистор BTB4511J3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB4511J3
Маркировка: B4511
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO252
Аналоги (замена) для BTB4511J3
BTB4511J3 Datasheet (PDF)
..1. Size:298K cystek
btb4511j3.pdf
btb4511j3.pdf
Spec. No. : C662J3 Issued Date : 2010.10.26 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.12.08 Page No. : 1/6 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTB4511J3Features 5 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps Extremely low equivalent
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
