BTB4511J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB4511J3

Маркировка: B4511

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 65 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO252

 Аналоги (замена) для BTB4511J3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB4511J3 даташит

 ..1. Size:298K  cystek
 btb4511j3.pdf pdf_icon

BTB4511J3

Spec. No. C662J3 Issued Date 2010.10.26 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.12.08 Page No. 1/6 PNP Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTB4511J3 Features 5 Amps continuous current, up to 10 Amps peak current Very low saturation voltage Excellent gain characteristics specified up to 10 Amps Extremely low equivalent

Другие транзисторы: BTB1424N3, BTB1427M3, BTB1498N3, BTB1580J3, BTB1580L3, BTB1580M3, BTB1590N3, BTB4110D3, TIP122, BTB5140N3, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3