BTB5213L3 Todos los transistores

 

BTB5213L3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTB5213L3
   Código: AK
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 10 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT223
 

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BTB5213L3 datasheet

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BTB5213L3

Spec. No. C824L3 Issued Date 2007.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.09.06 Page No. 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTB5213L3 Description General purpose mainly intended for use in medium power industrial application and for audio amplifier output stage. Features High collector current and low V . CE(SAT) Complement to B

 9.1. Size:283K  cystek
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BTB5213L3

Spec. No. C195N3 Issued Date 2013.05.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat) BVCEO -40V IC -2A BTB5240N3 RCESAT(typ.) 0.106 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V =-0.18V(typ)(I =-2A, I =-200mA). CE(sat) C B Pb-free lead plating and halogen-free pac

Otros transistores... BTB1498N3 , BTB1580J3 , BTB1580L3 , BTB1580M3 , BTB1590N3 , BTB4110D3 , BTB4511J3 , BTB5140N3 , 13007 , BTB5240N3 , BTB5839M3 , BTB9050N3 , BTB9435J3 , BTB9435L3 , BTC945A3 , BTC1510E3 , BTC1510F3 .

 

 

 


 
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