Биполярный транзистор BTB5213L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB5213L3
Маркировка: AK
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для BTB5213L3
BTB5213L3 Datasheet (PDF)
btb5213l3.pdf
Spec. No. : C824L3 Issued Date : 2007.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.09.06 Page No. : 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTB5213L3Description General purpose mainly intended for use in medium power industrial application and for audio amplifier output stage. Features High collector current and low V . CE(SAT) Complement to B
btb5240n3.pdf
Spec. No. : C195N3 Issued Date : 2013.05.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BVCEO -40VIC -2ABTB5240N3RCESAT(typ.) 0.106 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V =-0.18V(typ)(I =-2A, I =-200mA). CE(sat) C B Pb-free lead plating and halogen-free pac
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
