BTB5213L3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB5213L3

Маркировка: AK

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT223

 Аналоги (замена) для BTB5213L3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB5213L3 даташит

 ..1. Size:256K  cystek
 btb5213l3.pdf pdf_icon

BTB5213L3

Spec. No. C824L3 Issued Date 2007.03.29 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2010.09.06 Page No. 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTB5213L3 Description General purpose mainly intended for use in medium power industrial application and for audio amplifier output stage. Features High collector current and low V . CE(SAT) Complement to B

 9.1. Size:283K  cystek
 btb5240n3.pdf pdf_icon

BTB5213L3

Spec. No. C195N3 Issued Date 2013.05.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat) BVCEO -40V IC -2A BTB5240N3 RCESAT(typ.) 0.106 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V =-0.18V(typ)(I =-2A, I =-200mA). CE(sat) C B Pb-free lead plating and halogen-free pac

Другие транзисторы: BTB1498N3, BTB1580J3, BTB1580L3, BTB1580M3, BTB1590N3, BTB4110D3, BTB4511J3, BTB5140N3, 13007, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3, BTC1510E3, BTC1510F3