Биполярный транзистор BTB5213L3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB5213L3
Маркировка: AK
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: SOT223
Аналоги (замена) для BTB5213L3
BTB5213L3 Datasheet (PDF)
btb5213l3.pdf
Spec. No. : C824L3 Issued Date : 2007.03.29 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2010.09.06 Page No. : 1/7 General Purpose PNP Epitaxial Planar Transistor BTB5213L3Description General purpose mainly intended for use in medium power industrial application and for audio amplifier output stage. Features High collector current and low V . CE(SAT) Complement to B
btb5240n3.pdf
Spec. No. : C195N3 Issued Date : 2013.05.10 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Low V PNP Epitaxial Planar Transistor CE(sat)BVCEO -40VIC -2ABTB5240N3RCESAT(typ.) 0.106 Features Excellent DC current gain characteristics Low Saturation Voltage V =-0.18V(typ)(I =-2A, I =-200mA). CE(sat) C B Pb-free lead plating and halogen-free pac
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050